主要的解決方式有兩種：

一類是使用專用驅動芯片驅動MOS管，或利用快速光耦、三極管構成的電路驅動MOS管，但是第一類方式需要提供獨立電源；另外一類采用脈沖變壓器驅動MOS管，而在脈沖驅動電路

中，如何提高驅電路的開關頻率，增大驅動能力，盡可能的減少元件數量，是目前亟待解決的問題。

第一類驅動方案中，半橋需要2路獨立電源；全橋則需要3路獨立電源，無論是半橋還是全橋，其元件過多，不利于降低成本。

第二類驅動方案中，與本專利最接近的現有技術為發明名稱為“一種大功率MOS管驅動電路”專利(申請號200720309534. 8)，該專利中僅加一泄放電阻來釋放大功率MOS管的柵源極

電荷，達到關斷的目的，PWM信號的下降沿較大，這將導致MOS管關斷速度慢，功率損耗很大；另外，該專利方案中MOS管工作易受干擾，而且PWM控制芯片需要具有較大的輸出功率，

使得芯片溫度較高，影響芯片的使用壽命。發明內容本實用新型的發明目的在于提供一種大功率MOS管驅動電路，工作更加穩定可O實現本實用新型發明目的技術方案—種大功率MOS

管驅動電路，PWM控制芯片的信號輸出端接脈沖變壓器初級，脈沖變壓器次級的第一輸出端接第一 MOS管的柵極，脈沖變壓器次級的第二輸出端接第二MOS管的柵極，其特征在于脈沖

變壓器次級的第一輸出端還接有第一泄放三極管，脈沖變壓器次級的第二輸出端還接有第二泄放三極管。PWM控制芯片的信號輸出端與脈沖變壓器初級之間接有用于信號放大的MOS

管。脈沖變壓器初級還接有儲能釋放電路。所說儲能釋放電路包括電阻、電容和二極管，電阻和電容并聯，前述的并聯電路與二極管串聯。本實用新型具有的有益效果本實用新型在

變壓器次級的第一輸出端還接有第一泄放三極管，脈第二輸出端還接有第二泄放三極管，當脈沖變壓器輸出低電平時，第一 MOS管和第二 MOS管能夠快速放電，提高MOS管的關斷速

度，減少MOS管損耗。PWM控制芯片的信號輸出端與脈沖變壓器初級之間接有用于信號放大的MOS管，能夠進一步提高PWM信號的驅動能力。脈沖變壓器初級還接有儲能釋放電路，當

PWM信號處于低電平時，儲能釋放電路將PWM高電平時在脈沖變壓器中的儲能釋放掉，保證了第一MOS管和第二MOS管的柵源極為低電平，起到了防干擾的作用。

具體實施方式，PWM控制芯片的信號輸出端A與脈沖變壓器Tl的初級之間接有用于信號放大的小功率MOS管Q1，脈沖變壓器次級的第一輸出端經二極管D1、驅動電阻Rl接第一MOS管Q4的

柵極，脈沖變壓器次級的第二輸出端經二極管D2、驅動電阻R2接第二 MOS管Q5的柵極，脈沖變壓器次級的第一輸出端還接有第一泄放三極管Q2，脈沖變壓器次級的第二輸出端還接有

第二泄放三極管Q3。第一 MOS管Q4的柵極接有泄放電阻R3，第二 MOS管Q5的柵極接有泄放電阻R4。脈沖變壓器Tl初級還接有儲能釋放電路，儲能釋放電路包括電阻 R5、電容Cl和二

極管D3，電阻R5和電容Cl并聯，前述的并聯電路與二極管D3串聯。PWM控制芯片輸出的PWM信號經小功率MOS管Ql進行放大后，輸出至脈沖變壓器Tl的初級。當PWM信號為高電平時，脈

沖變壓器Tl次級的第一輸出端和第二輸出端輸出高電平信號，驅動第一 MOS管Q4和第二 MOS管Q5導通。當PWM信號為低電平時,脈沖變壓器Tl次級的第一輸出端和第二輸出端輸出低電

平信號，第一泄放三極管Q2和第二泄放三極管Q3導通，第一 MOS管Q4柵源極電容通過泄放電阻R3、第一泄放三極管Q2進行放電，第二 MOS管Q5柵源極電容通過泄放電阻R4、第二泄放

三極管Q3進行放電，使第一 MOS管Q4、第二 MOS管Q5的關斷速度更快，減少功率損耗。當PWM信號為低電平時，由電阻R5、電容Cl和二極管D3組成的儲能釋放電路將PWM高電平時在脈

沖變壓器中的儲能釋放掉，保證了第一 MOS管Q4和第二 MOS管Q5的柵源極為低電平，起到了防干擾的目的。二極管Dl和二極管D2對輸出電流進行單向導通，從而保證了 PWM波形質

量，同時也在一定程度上起到了防干擾的作用。