N型，P型MOS管

工作原理的本質(zhì)是一樣，MOS管主要是由加在輸入端柵極的電壓來成功控制輸出端漏極的電流，MOS管是壓控器件，通過加在柵極上的電壓控制器件的特性，不像三極管做開關(guān)的時候

的因基極電流引起的電荷存儲效應(yīng)，在開關(guān)應(yīng)用中，MOS管的開關(guān)速度比三極管快，其主要原理如圖1所示：

                                                                   圖1 MOS管的工作原理

在開關(guān)電源中，常用MOS管的漏極開路電路，如圖2所示，漏極原封不動地接負(fù)載，叫做開路漏極，開路漏極電路中，負(fù)載接多高的電壓，都能接通，關(guān)斷負(fù)載電流，是理想的模擬開

關(guān)器件，這是MOS管做開關(guān)器件的原理，MOS管做開關(guān)使用的電路形式多。

                                                              圖2 NMOS管的開路漏極電路  

在開關(guān)電源應(yīng)用方面，這種應(yīng)用需要MOS管定期導(dǎo)通，關(guān)斷，如DC-DC電源中常用的基本降壓轉(zhuǎn)換器依賴兩個MOS管來執(zhí)行開關(guān)功能，這些開關(guān)交替在電感里存儲能量，把能量釋放給

負(fù)載，常選擇數(shù)百kHz乃至1 MHz以上的頻率，主要是因為頻率越高的話，磁性元件更小，在正常工作期間，MOS管相當(dāng)于一個導(dǎo)體，比如，大功率mos管，小電壓mos管，電路，電源

是MOS的最小傳導(dǎo)損耗。

MOS管的PDF參數(shù)，MOS管制造商成功采用了RDS（ON）參數(shù)，來定義導(dǎo)通阻抗，對于開關(guān)應(yīng)用而言，RDS（ON）是最重要的器件特性；數(shù)據(jù)手冊定義RDS（ON），柵極?（或驅(qū)動）?電

壓VGS及流經(jīng)開關(guān)的電流有關(guān)，對于充分的柵極驅(qū)動，RDS（ON） 是一個相對靜態(tài)參數(shù)；一直處于導(dǎo)通的MOS管容易發(fā)熱，慢慢升高的結(jié)溫會導(dǎo)致RDS（ON）的增加；MOS管數(shù)據(jù)手冊規(guī)

定熱阻抗參數(shù)，其定義為MOS管封裝的半導(dǎo)體結(jié)散熱能力，RθJC的簡單定義是結(jié)到管殼的熱阻抗。

1、頻率太高，有時過分追求體積，會直接導(dǎo)致頻率高，MOS管上的損耗增大，發(fā)熱也越大，沒有做好足夠的散熱設(shè)計，電流高，MOS管標(biāo)稱的電流值，需要良好的散熱才能夠達(dá)到；

ID小于最大電流，可能發(fā)熱嚴(yán)重，需要足夠的輔助散熱片。

2、MOS管的選型有誤和對功率判斷有誤，MOS管內(nèi)阻沒有充分考慮，會直接導(dǎo)致開關(guān)阻抗增大，在處理MOS管發(fā)熱問題的時候。

3、由于電路設(shè)計的問題，導(dǎo)致發(fā)熱，讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài)，不是在開關(guān)狀態(tài)，這是直接導(dǎo)致MOS管發(fā)熱的一個原因，比如，N-MOS做開關(guān)，G級電壓要比電源高幾V，才能夠

完全導(dǎo)通，P-MOS則不同；在沒有完全打開，壓降過大，會造成功率消耗，等效直流阻抗較大，壓降也會增大，U*I也會增大，損耗就會導(dǎo)致發(fā)熱。