mos管，是在集成電路里的帶有絕緣性的場效應管。MOS 管作為半導體領域最基礎的器件之一，不管是在板級電路的應用上，還是IC的設計里，都十分廣泛。MOS管的drain和source是可以相互調換過來的的，都是在P型backgate里形成的一個N型區。在普遍的情況下，這兩個區都是相同的，就算這兩段相互調換過來也是不會去影響到器件的性能。所以這器件被認為是對稱的。

原理：

MOS管是利用VGS去控制“感應電荷”的多少，由此去改變由這些“感應電荷”所形成的導電溝道的狀況，以此來控制漏極電流。在管子制造時，通過一些特殊工藝使得絕緣層出現大量的正離子，所以在交界面另一側可以感測出比較多的負電荷，高滲雜質的N區被這些負電荷接通，導電溝道也就形成了，即便在VGS為0時也會有比較大的漏極電流ID。如果柵極電壓發生改變時，溝道里的被感應電荷量也會發生改變，導電溝道中的寬窄也會隨著改變，因此漏極電流ID會伴隨著柵極電壓的變化而發生變化。

作用：

1、可以應用在放大電路上。因為MOS管的放大器的輸入阻抗高的特性，所以耦合的電容可以容量小一點，可以不使用電解電容器。

2、高輸入阻抗很適合作阻抗變換。經常用在多級放大器的輸入級作阻抗的變換上。

3、可作為可變電阻。

4、可用作當電子開關。

MOS管現如今用途極為廣泛，包括電視機的高頻頭和開關電源。現在把雙極型的普通三極管和MOS復合在一起形成IGBT（絕緣柵雙極型晶體管），廣泛應用于大功率領域，且MOS集成電路具有功耗低的特性，現在CPU已經廣泛采用MOS電路了。