2018年臺灣有9家企業上榜世界五百強，其中就有5家企業屬于電子科技行業，尤其在半導體行業，臺灣如今已經成為半導體企業競爭無可比擬的地區了。著名的臺積電就是全球最大的

晶圓代工廠商，全球有50%以上的芯片代工由它來完成。上世紀60年代，臺灣抓住當時國際產業轉移以及國際分工變化的機遇，引來自美國、日本等發達國家的資金、技術，重點發展勞

動密集型加工產業，經濟發展迅速，為臺灣工業發展奠定了很好的基礎。臺灣企業家既保留中國傳統文化又具備西方文化國際化視野，臺積電張忠謀等等臺灣企業家很多都有海外留學

的經歷，國際業務拓展英語流利，同海外半導體企業技術人員溝通都沒有任何語言障礙，容易及時掌握市場信息技術信息。這是國內企業家的弱項，畢竟馬云這種語言溝通沒障礙的國

內企業家還是很少。聯電成立后，也吸取了國外的股份制，啟用了員工分紅政策，這使得臺灣將自己培養的人才都留在了臺灣，不僅如此分紅制度還吸引了越來越多的外來人才，使得

臺灣半導體業逐漸壯大。經歷半個世紀的發展，如今臺灣早已成為半導體行業競爭無可比擬的地區了。實際上，不僅在半導體領域，在很多領域臺灣都有著不低的水平。

到了70年代，臺灣開始走工業技術的道路，把經濟轉型到以通訊、信息、半導體、消費電子等高新技術領域上。之后很快有各種工業研究所在臺灣成立，而且臺灣還派遣了很多學員到

美國等地學習先進技術，讓它們深造后回來為臺灣工業發展做貢獻，這其中就有現在臺積電的張忠謀等人，由此奠定了很多臺灣大企業的基礎，形成了完善的工業體系。國民黨逃到臺

灣后的特殊歷史背景，臺灣與美國、日本等半導體強國的歷史交往較為密切。日美企業對臺灣華人的技術封鎖沒有大陸華人嚴重，不僅接受臺灣學員到美國學習半導體最新知識，還接

受臺灣華人在所有美國半導體企業里面工作研究，從技術優勢和市場信息等各方面都為臺灣發展半導體產業奠定了一定的基礎。

                                       

 

了解一段知識，下面我們開始講一下使得電路容易發熱的幾個方面。做電源設計，或者做驅動方面的電路，難免要用到場效應管，也就是人們常說的MOS管。MOS管有很多種類，也有

很多作用。做電源或者驅動的使用，當然就是用它的開關作用。接下來我們來了解MOS管發熱五大關鍵技術。臺灣和美國無線電公司達成了合作，派遣眾多學員到美國學習先進技

術。這群人學成歸來后，當時的臺灣政府還不惜代價從國內清華等高級學府吸引了大量人才，并組建了政府主導的科技園區。不僅如此，在此后的數十年，臺灣還不斷的往歐美、日

本等地輸送人才，讓他們深造后回到臺灣為臺灣工業做貢獻。所以，臺灣對人才的培養政策也奠定了日后臺灣半導體的發展。

電感或者變壓器的選擇，終于談到重點了，我還沒有入門，只能瞎說點飽和的影響了。很多用戶反應，相同的驅動電路，用a生產的電感沒有問題，用b生產的電感電流就變小了。遇

到這種情況，要看看電感電流波形。有的工程師沒有注意到這個現象，直接調節sense電阻或者工作頻率達到需要的電流，這樣做可能會嚴重影響LED的使用壽命。所以說，在設計

前，合理的計算是必須的，如果理論計算的參數和調試參數差的有點遠，要考慮是否降頻和變壓器是否飽和。變壓器飽和時，L會變小，導致傳輸delay引起的峰值電流增量急劇上

升，那么LED的峰值電流也跟著增加。在平均電流不變的前提下，只能看著光衰了

芯片發熱，本次內容主要針對內置電源調制器的高壓驅動芯片。假如芯片消耗的電流為2mA，300V的電壓加在芯片上面，芯片的功耗為0.6W，當然會引起芯片的發熱。驅動芯片的最

大電流來自于驅動功率MOS管的消耗，簡單的計算公式為I=cvf(考慮充電的電阻效益，實際I=2cvf，其中c為功率MOS管的cgs電容，v為功率管導通時的gate電壓，所以為了降低芯片

的功耗，必須想辦法降低c、v和f.如果c、v和f不能改變，那么請想辦法將芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入額外的功耗。再簡單一點，就是考慮更好的散熱吧。

工作頻率降頻，這個也是用戶在調試過程中比較常見的現象，降頻主要由兩個方面導致。輸入電壓和負載電壓的比例小、系統干擾大。對于前者，注意不要將負載電壓設置的太高，

雖然負載電壓高，效率會高點。對于后者，可以嘗試以下幾個方面：a、將最小電流設置的再小點;b、布線干凈點，特別是sense這個關鍵路徑;c、將電感選擇的小點或者選用閉合磁

路的電感;d、加RC低通濾波吧，這個影響有點不好，C的一致性不好，偏差有點大，不過對于照明來說應該夠了。無論如何降頻沒有好處，只有壞處，所以一定要解決。

                                   

功率管發熱，功率管的功耗分成兩部分，開關損耗和導通損耗。要注意，大多數場合特別是LED市電驅動應用，開關損害要遠大于導通損耗。開關損耗與功率管的cgd和cgs以及芯片

的驅動能力和工作頻率有關，所以要解決功率管的發熱可以從以下幾個方面解決：A、不能片面根據導通電阻大小來選擇MOS功率管，因為內阻越小，cgs和cgd電容越大。如1N60的

cgs為250pF左右，2N60的cgs為350pF左右，5N60的cgs為1200pF左右，差別太大了，選擇功率管時，夠用就可以了。B、剩下的就是頻率和芯片驅動能力了，這里只談頻率的影響。頻

率與導通損耗也成正比，所以功率管發熱時，首先要想想是不是頻率選擇的有點高。想辦法降低頻率吧!不過要注意，當頻率降低時，為了得到相同的負載能力，峰值電流必然要變

大或者電感也變大，這都有可能導致電感進入飽和區域。如果電感飽和電流夠大，可以考慮將CCM(連續電流模式)改變成DCM(非連續電流模式)，這樣就需要增加一個負載電容了。